酷游九州平台|海棠书屋里|英特尔新专利：助力10纳米及以下集成电路结构突破
2025.07.09
酷游KU游电子科技
据金融界2025年4月8日消息★ღღ，英特尔公司最近向国家知识产权局提交了一项名为“用于高级集成电路结构制造的外延源极或漏极结构”的专利申请（公开号CN119767784A）★ღღ，申请时间追溯至2018年10月★ღღ。这项专利的核心目标是为10纳米节点及更小尺寸的集成电路制造提供新技术支持★ღღ。
在这项专利的摘要中★ღღ，英特尔展示了如何在集成电路中实施更先进的结构设计★ღღ。具体而言★ღღ，所申请的集成电路结构包含硅制鳍状物★ღღ，此鳍状物由上下部分组成★ღღ，栅极电极则位于上部之上海棠书屋里★ღღ。此外海棠书屋里★ღღ，这项设计在栅极电极的两侧均嵌入了外延源极或漏极结构海棠书屋里酷游九州平台★ღღ，令人眼前一亮的是酷游九州平台★ღღ，这些结构融合了硅和锗元素海棠书屋里★ღღ，展现出极具创新性的火柴棍轮廓★ღღ。
随着电子设备对高性能和高功效集成电路的需求不断攀升酷游九州平台★ღღ，英特尔此项专利无疑为未来的半导体行业展现了光明前景★ღღ。随着技术的不断突破海棠书屋里★ღღ，集成电路的核心性能将得到大幅提升★ღღ，可能会在智能手机★ღღ、人工智能★ღღ、物联网等领域引发一场新革命★ღღ。
然而★ღღ，这项专利的提出也再次强调了集成电路产业竞争的激烈程度★ღღ，尤其是在重要市场中★ღღ。英特尔作为行业的领军者★ღღ，显然希望通过不断创新来巩固并扩大自己的市场份额★ღღ，势必会在激烈的科技竞争中引起更多关注和热议★ღღ。
从这项新专利中★ღღ，我们可以看到英特尔在推动半导体技术进步★ღღ、实现更小型化和高效能的集成电路方面的坚定决心★ღღ。这不仅让技术爱好者对未来的科技产品充满期待★ღღ，也为投资者带来新的关注焦点酷游九州平台酷游九州平台★ღღ。返回搜狐★ღღ，查看更多KU酷游·(中国区)官方网站★ღღ，九州酷游九州酷游(中国)官方网站★ღღ，KU酷游网站★ღღ，KU酷游网址★ღღ，
